汪倩文

（一）主持科研项目

           

山东省自然科学青年基金，ZR2023QF076，低功耗冷源场效应晶体管的理论研究，2024.01-2026.12，15万，在研

（二）参与科研项目

           

国家自然科学基金重点项目, 62034006, 面向科学计算的存算一体化闪存器件的研究, 2021.01-2025.12，298万，在研

国家自然科学基金面上项目, 62174100, 陡亚阈值摆幅有机场效应晶体管设计：二维有机框架策略, 2022.01-2025.12，57万元，在研

山东省自然科学基金重大基础研究项目，ZR2023ZD06，领域知识与强化学习共融的纳米尺度模拟集成电路智能优化理论与应用，2024.01-2026.12，160万，在研

山东省高等学校“青创团队计划”，2023KJ028，感存算融合光电忆阻技术研究，在研

代表性论文

1. Q.W. Wang, J. Chen*, Cold Source Engineering towards Sub-60 mV/dec p-Type Field-effect-transistors (pFETs): Materials, Structures, and Doping Optimizations. IEDM, 2020, pp. 22.4.1-22.4.4. (微电子顶级会议) 2. Q.W. Wang, J. Chen*, Tunneling Junction as Cold Source: Toward Steep-Slope Field-Effect Transistors Based on Monolayer MoS2. IEEE Trans. Electron Devices, 2021, 68, 9, pp. 4758-4761. (Top期刊) 3. Q.W. Wang, J. Chen*, A Computational Study on Functionalized MoS2 Nanoribbon for Intrinsic Cold Source Transistor. ACS Appl. Nano Mater., 2021, 5, 1, pp. 1078. 4. Q.W. Wang, J. Chen*, Strain Engineered C31 Field-effect-transistors: A New Strategy to Break 60 mV/decade by Using Electron Injection from Intrinsic Isolated States. Appl. Phys. Express, 2021, 14, pp. 074003. 5. Q.W. Wang, J. Chen*, P-type cold-source field-effect transistors with TcX2 and ReX2 (X = S, Se) cold source electrodes: A computational study. Chinese Phys. B, 2023, 32, 12, pp. 127203. 6. Q.W. Wang, J. Chen*, Impacts of Biaxial Tensile Strain in Double-gate Tunneling Field-effect-transistor (DG-TFET) with a Monolayer WSe2 Channel, SNW, 2020, pp. 103-104.